記憶體常見術語介紹知識

　　本篇文章小編主要推薦的是記憶體常見術語介紹。一起來學習吧!

　　BANK：BANK是指記憶體插槽的計算單位***也有人稱為記憶庫***，它是計算機系統與記憶體間資料匯流的基本運作單位。

　　記憶體的速度：記憶體的速度是以每筆CPU與記憶體間資料處理耗費的時間來計算，為匯流排迴圈***bus cycle***以奈秒***ns***為單位。

　　記憶體模組 ***Memory Module***：提到記憶體模組是指一個印刷電路板表面上有鑲嵌數個記憶體晶片chips，而這記憶體晶片通常是 DRAM晶片，但近來系統設計也有使用快取隱藏式晶片鑲嵌在記憶體模組上記憶體模組是安裝在PC 的主機板上的專用插槽***Slot***上鑲嵌在Module上 DRAM晶片***chips***的數量和個別晶片***chips***的容量，是決定記憶體模組的設計的主要因素。

　　SIMM ***Single In-line Memory Module***：電路板上面焊有數目不等的記憶IC，可分為以下2種型態：

　　72PIN：72腳位的單面記憶體模組是用來支援32位的資料處理量。

　　30PIN：30腳位的單面記憶體模組是用來支援8位的資料處理量。

　　DIMM ***Dual In-line Memory Module***：***168PIN*** 用來支援64位或是更寬的匯流排，而且只用3.3伏特的電壓，通常用在64位的桌上型計算機或是伺服器。

　　RIMM：RIMM模組是下一世代的記憶體模組主要規格之一，它是Intel公司於1999年推出晶片組所支援的記憶體模組，其頻寬高達1.6Gbyte/sec。

　　SO-DIMM ***Small Outline Dual In-line Memory Module*** ***144PIN***：這是一種改良型的DIMM模組，比一般的DIMM模組來得小，應用於筆記型計算機、列表機、傳真機或是各種終端機等。

　　PLL：為鎖相迴路,用來統一整合時脈訊號,使記憶體能正確的存取資料。

　　Rambus 記憶體模組 ***184PIN***：採用Direct RDRAM的記憶體模組，稱之為RIMM模組，該模組有184pin腳，資料的輸出方式為序列，與現行使用的DIMM模組168pin，並列輸出的架構有很大的差異。

　　6層板和4層板***6 layers V.S. 4 layers***：指的是電路印刷板PCB Printed Circuit Board 用6層或4層的玻璃纖維做成，通常SDRAM會使用6層板，雖然會增加PCB的成本但卻可免除噪聲的干擾，而4層板雖可降低PCB的成本但效能較差。

　　SPD：為Serial Presence Detect 的縮寫，它是燒錄在EEPROM內的碼，以往開機時BIOS必須偵測memory，但有了SPD就不必再去作偵測的動作，而由BIOS直接讀取 SPD取得記憶體的相關資料。

　　Parity和ECC的比較：同位檢查碼***parity check codes***被廣泛地使用在偵錯碼 ***error detection codes***上，他們增加一個檢查位給每個資料的字元***或位元組***，並且能夠偵測到一個字元中所有奇***偶***同位的錯誤，但Parity有一個缺點，當計算機查到某個Byte有錯誤時，並不能確定錯誤在哪一個位，也就無法修正錯誤。

　　緩衝器和無緩衝器***Buffer V.S. Unbuffer***：有緩衝器的DIMM 是用來改善時序***timing***問題的一種方法無緩衝器的DIMM雖然可被設計用於系統上，但它只能支援四條DIMM。若將無緩衝器的DIMM用於速度為100Mhz的主機板上的話，將會有存取不良的影響。而有緩衝器的DIMM則可使用四條以上的記憶體，但是若使用的緩衝器速度不夠快的話會影響其執行效果。換言之，有緩衝器的DIMM雖有速度變慢之虞，但它可以支援更多DIMM的使用。

　　自我充電 ***Self-Refresh***：DRAM內部具有獨立且內建的充電電路於一定時間內做自我充電，通常用在筆記型計算機或可攜式計算機等的省電需求高的計算機。

　　預充電時間 ***CAS Latency***：通常簡稱CL。例如CL=3，表示計算機系統自主儲存器讀取第一筆資料時，所需的準備時間為3個外部時脈 ***System clock***。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間，相差一個時脈，對整個系統的效能並無顯著影響。

　　時鐘訊號 ***Clock***：時鐘訊號是提供給同步記憶體做訊號同步之用，同步記憶體的存取動作必需與時鐘訊號同步。