快閃記憶體晶片原理是什麼

　　快閃記憶體晶片是什麼?相信對於這種專業名詞很多人都不能很清楚地回答上來，如果換個說法：“U盤”，應該大家就都懂了吧!今天小編就來為大家解釋快閃記憶體晶片的原理。

　　其實，“快閃記憶體”也還是通俗的說法，它最準確的定義是“非易失隨機訪問儲存器***NVRAM***”。快閃記憶體盤的特點是斷電後資料依然儲存不會丟失，因此可以將它當作一種外部儲存器使用。作為一種移動儲存產品並且能夠儲存任何格式的資料與檔案，說它是個人的“資料移動中心”是再合適不過的了。快閃記憶體盤的使用原理包括採用快閃記憶體儲存介質***Flash Memory***和通用序列匯流排***USB***介面相結合的原則，作為大家所鍾愛的理想儲存工具，它具有容量較大、使用方便、輕巧精緻、便於攜帶、時尚潮流、安全可靠等多種優點。

　　快閃記憶體盤的基本分類：快閃記憶體主要分為NOR型和NAND型兩大不同的型別。兩者的區別很大，NOR型快閃記憶體就像內部儲存，擁有獨立的資料線和地址線，但是價格昂貴，並且容量一般比較小;而NAND型快閃記憶體就如硬碟，共用的I/O線是它的資料線和地址線，並且資料傳輸方式也和硬碟如出一轍，都是通過一條硬碟線傳送完成的。因為NAND型快閃記憶體低成本、容量大的特點，多以它被廣泛應用在快閃記憶體盤、數碼儲存卡等領域;而容量小的精細的NOR型快閃記憶體一般用在手機的記憶體上***這也是手機記憶體一般都很小的原因***。

　　快閃記憶體盤的製造工藝：根據不同的製造工藝影響電晶體的密度，會對快閃記憶體盤的一些操作造成影響。例如寫穩定和讀穩定時間，它們是快閃記憶體過程中佔去的時間的重要部分***尤其是寫入的時間***。要是我們能夠降低此類時間，自然就可以提高儲存與拷貝效率，進一步提高快閃記憶體盤效能。但是90nm快閃記憶體盤的製造工藝能夠很容易就進行改造和升級嗎?答案恐怕是否定的!隨著儲存密度的不斷提高，我們所需要的讀、寫穩定時間趨勢是逐漸上升的。所以正是因為這樣，並不是快閃記憶體盤容量越大它的執行效能就越大，這兩個方面之中還有很多未解決的問題擺在我們的面前。

　　根據以上內容綜合來看，雖然我們知道大容量的NAND型快閃記憶體晶片的定址與操作時間略長，但隨著快閃記憶體盤儲存容量的提高，單位有效傳輸效率依然會有所提高。所以以目前的趨勢來說，大容量的晶片依然是符合市場的成本和效能的需求的，大容量型NAND晶片對市場的促進作用仍然是很積極的。