休謨－饒塞裡

[拼音]：bandaoti zhong de dianzi he kongxue

[英文]：Electrons and Holes in Semiconductors

關於半導體物理和電晶體電子學理論的權威著作，美國物理學家、電晶體發明人之一W.B.肖克萊著，1950年出版。本書總結對半導體中物理過程的認識，闡述電晶體電子學的理論基礎。作者在本書中首次把半導體物理中關於電子過程的基本理論、半導體器件分析、設計和電路應用等內容稱為電晶體電子學。本書對半導體物理的發展具有重要意義。全書分為三部分，共17章。第一部分為電晶體電子學引論，利用半導體實驗所得到的結果闡明一些理論概念，特別是對電子空穴的注入問題進行了定量研究；第二部分是關於半導體的描述性理論，討論了半導體中的電子能態、電子和空穴在電磁場中的行為，以及電導率和霍爾效應理論等；第三部分為量子力學基礎，敘述基本量子理論如何導致產生電子和空穴的抽象概念，討論了半導體的統計理論和電子、空穴的躍遷機率理論，論述了與電子導電有關的課題，如電子和空穴的速度、電流和加速度的理論等。本書中所採用的一些基本物理概念和理論分析在後來的半導體物理研究中得到了廣泛應用。