糠醛

[拼音]：suidao erjiguan

[英文]：tunnel diode

基於重摻雜PN接面隧道效應而製成的半導體兩端器件。隧道效應是1958年日本江崎玲於奈在研究重摻雜鍺PN接面時發現的，故隧道二極體又稱江崎二極體。這一發現揭示了固體中電子隧道效應的物理原理，江崎為此而獲得諾貝爾獎金物理學獎。隧道二極體通常是在重摻雜 N型（或 P型）的半導體片上用快速合金工藝形成高摻雜的PN接面而製成的；其摻雜濃度必須使PN接面能帶圖中費米能級進入N型區的導帶和P型區的價帶；PN接面的厚度還必須足夠薄（150埃左右），使電子能夠直接從N型層穿透PN接面勢壘進入P型層。這樣的結又稱隧道結。

隧道二極體的主要特點是它的正向電流－電壓特性具有負阻(見圖)。這種負阻是基於電子的量子力學隧道效應，所以隧道二極體開關速度達皮秒量級，工作頻率高達100吉赫。隧道二極體還具有小功耗和低噪聲等特點。隧道二極體可用於微波混頻、檢波（這時應適當減輕摻雜，製成反向二極體），低噪聲放大、振盪等。由於功耗小，所以適用於衛星微波裝置。還可用於超高速開關邏輯電路、觸發器和儲存電路等。