諾特，（A.）E.
[拼音]：weicuo
[英文]：dislocation
晶體線缺陷的一種。位錯是由於晶體生長不穩定或機械應力等原因，在晶體中引起部分滑移而產生的。所謂部分滑移是指晶體的一部分發生滑移，而另一部分沒有發生滑移。位錯線就是晶體中已滑移區和未滑移區在滑移面上的交界線。它在晶體中構成一個閉合環線或終止於晶體表面。
型別
根椐滑移向量
b
與位錯線取向的異同，位錯分為三種類型：刃型位錯
晶體中發生部分滑移時，滑移面上的滑移方向和滑移距離可用滑移向量
b
表示。位錯線與滑移向量b
垂直的位錯，稱為刃型位錯(圖1)。螺型位錯
位錯線與滑移向量
b
相平行的位錯（圖2）。
混合位錯
位錯線與滑移向量
b
的方向既不垂直，也不平行的位錯，是刃型和螺型位借的混合型式，或稱複合位錯（圖3），A處是純螺型位錯，C處是純刃型位錯，A、C之間各處均為混合位錯。位錯研究的意義
（1）位錯理論是晶體缺陷理論的中心，也是理解其他晶體缺陷的鑰匙；
（2）晶體的力學性質，原則上取決於位錯的密度、分佈、運動和其他晶體缺陷的相互作用；
（3）位錯在晶體中產生應力和應變，因而增加儲存的彈性效能；
（4）位錯不僅改變晶體的力學性質，而且改變晶體的生長速度、電學性質、光學性質、磁學性質和超導性質等；
（5）利用位錯的概念，可以解釋晶體出現的各種有關現象，如晶體的蠕變、解理、加工硬化、回覆和再結晶等；
（6）與位錯有關的堆垛層錯概念，在研究機械孿晶、外延生長和馬氏體相變等方面相當重要；
（7）可用電子顯微技術直接觀測晶體生長過程中的螺旋位錯運動，有力地證明了晶體生長螺旋位錯理論，推動了位錯理論的發展。
位錯理論在建立以後的長時期內，是緊密地結合金屬強度和範性問題的研究而發展的，而20世紀60年代以後，位錯研究已突破這一傳統領域。位錯與電子、位錯與磁疇以及位錯與超導渦線點陣的相互作用等問題已引起人們的興趣，並在材料科學中顯示出重要的意義。
參考書目
J.弗裡埃德爾著，王煜譯：《位錯》，科學出版社，北京，1984。
(J.Friedel，Dislocations，Pergamon，Oxford，1964.)