怎麼選擇記憶體條
筆記本記憶體則對尺寸、穩定性、散熱性方面有一定的要求。那麼呢?下面是小編收集整理的，希望對大家有幫助~~
選擇記憶體條的方法
工具/原料
記憶體條
適用型別
1筆記本記憶體就是應用於膝上型電腦的記憶體產品，筆記本記憶體只是使用的環境與桌上型電腦記憶體不同，在工作原理方面並沒有什麼區別。只是因為膝上型電腦對記憶體的穩定性、體積、散熱性方面的需求，筆記本記憶體在這幾方面要優於桌上型電腦記憶體，價格方面也要高於桌上型電腦記憶體。
筆記本誕生於桌上型電腦的486年代，在那個時代的膝上型電腦，所採用的記憶體各不相同，各種品牌的機型使用的記憶體千奇百怪，甚至同一機型的不同批次也有不同的記憶體，規格極其複雜，有的機器甚至使用PCMICA快閃記憶體卡來做記憶體。進入到桌上型電腦的586時代，筆記本廠商開始推廣72針的SO DIMM標準筆記本記憶體，而市場上還同時存在著多種規格的筆記本記憶體，諸如：72針5伏的FPM;72針5伏的EDO;72針3.3伏的FPM;72針3.3伏的EDO。此幾種型別的筆記本記憶體都已成為"古董"級的寶貝，早已在市場內消失了。在進入到"奔騰"時代，144針的3.3伏的EDO標準筆記本記憶體。在往後隨著桌上型電腦記憶體中SDRAM的普及，筆記本記憶體也出現了144針的SDRAM。現在DDR的筆記本記憶體也在市面中較為普遍了，而在一些輕薄筆記本內，還有些機型使用與普通機型不同的Micro DIMM介面記憶體。
對於多數的膝上型電腦都並沒有配備單獨的視訊記憶體，而是採用記憶體共享的形式，記憶體要同時負擔記憶體和視訊記憶體的儲存作用，因此記憶體對於膝上型電腦效能的影響很大。
伺服器是企業資訊系統的核心，因此對記憶體的可靠性非常敏感。伺服器上執行著企業的關鍵業務，記憶體錯誤可能造成伺服器錯誤並使資料永久丟失。因此伺服器記憶體在可靠性方面的要求很高，所以伺服器記憶體大多都帶有Buffer***快取器***，Register***暫存器***，ECC***錯誤糾正程式碼***，以保證把錯誤發生可能性降到最低。伺服器記憶體具有普通PC記憶體所不具備的高效能、高相容性和高可靠性。
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主頻
1記憶體主頻和CPU主頻一樣，習慣上被用來表示記憶體的速度，它代表著該記憶體所能達到的最高工作頻率。記憶體主頻是以MHz***兆赫***為單位來計量的。記憶體主頻越高在一定程度上代表著記憶體所能達到的速度越快。記憶體主頻決定著該記憶體最高能在什麼樣的頻率正常工作。目前較為主流的記憶體頻率室333MHz和400MHz的DDR記憶體，以及533MHz和667MHz的DDR2記憶體。
大家知道，計算機系統的時鐘速度是以頻率來衡量的。晶體振盪器控制著時鐘速度，在石英晶片上加上電壓，其就以正弦波的形式震動起來，這一震動可以通過晶片的形變和大小記錄下來。晶體的震動以正弦調和變化的電流的形式表現出來，這一變化的電流就是時鐘訊號。而記憶體本身並不具備晶體振盪器，因此記憶體工作時的時鐘訊號是由主機板晶片組的北橋或直接由主機板的時鐘發生器提供的，也就是說記憶體無法決定自身的工作頻率，其實際工作頻率是由主機板來決定的。
DDR記憶體和DDR2記憶體的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是記憶體顆粒實際的工作頻率，但是由於DDR記憶體可以在脈衝的上升和下降沿都傳輸資料，因此傳輸資料的等效頻率是工作頻率的兩倍;而DDR2記憶體每個時鐘能夠以四倍於工作頻率的速度讀/寫資料，因此傳輸資料的等效頻率是工作頻率的四倍。例如DDR 200/266/333/400的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是200/266/333/400MHz;DDR2 400/533/667/800的工作頻率分別是100/133/166/200MHz，而等效頻率分別是400/533/667/800MHz。
記憶體非同步工作模式包含多種意義，在廣義上凡是記憶體工作頻率與CPU的外頻不一致時都可以稱為記憶體非同步工作模式。首先，最早的記憶體非同步工作模式出現在早期的主機板晶片組中，可以使記憶體工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下***注意只是簡單相差33MHz***，從而可以提高系統記憶體效能或者使老記憶體繼續發揮餘熱。其次，在正常的工作模式***CPU不超頻***下，目前不少主機板晶片組也支援記憶體非同步工作模式，例如Intel 910GL晶片組，僅僅只支援533MHz FSB即133MHz的CPU外頻，但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作***注意此時其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經相差66MHz了***，只不過搭配不同的記憶體其效能有差異罷了。再次，在CPU超頻的情況下，為了不使記憶體拖CPU超頻能力的後腿，此時可以調低記憶體的工作頻率以便於超頻，例如AMD的Socket 939介面的Opteron 144非常容易超頻，不少產品的外頻都可以輕鬆超上300MHz，而此如果在記憶體同步的工作模式下，此時記憶體的等效頻率將高達DDR 600，這顯然是不可能的，為了順利超上300MHz外頻，我們可以在超頻前在主機板BIOS中把記憶體設定為DDR 333或DDR 266，在超上300MHz外頻之後，前者也不過才DDR 500***某些極品記憶體可以達到***，而後者更是隻有DDR 400***完全是正常的標準頻率***，由此可見，正確設定記憶體非同步模式有助於超頻成功。
目前的主機板晶片組幾乎都支援記憶體非同步，英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支援，而威盛公司則從693晶片組以後全部都提供了此功能。
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傳輸型別
1傳輸型別指記憶體所採用的記憶體型別，不同型別的記憶體傳輸型別各有差異，在傳輸率、工作頻率、工作方式、工作電壓等方面都有不同。目前市場中主要有的記憶體型別有SDRAM、RDRAM、DDR和DDR2四種。其中DDR和DDR2記憶體佔據了市場的主流，而SDRAM記憶體規格已不再發展，處於被淘汰的行列。RDRAM則始終未成為市場的主流，只有部分晶片組支援，而這些晶片組也逐漸退出了市場，RDRAM前景並不被看好。
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介面型別
1介面型別是根據記憶體條金手指上導電觸片的數量來劃分的，金手指上的導電觸片也習慣稱為針腳數***Pin***。因為不同的記憶體採用的介面型別各不相同，而每種介面型別所採用的針腳數各不相同。筆記本記憶體一般採用144Pin、200Pin介面;桌上型電腦記憶體則基本使用168Pin和184Pin介面。對應於記憶體所採用的不同的針腳數，記憶體插槽型別也各不相同。目前臺式機系統主要有SIMM、DIMM和RIMM三種類型的記憶體插槽，而筆記本記憶體插槽則是在SIMM和DIMM插槽基礎上發展而來，基本原理並沒有變化，只是在針腳數上略有改變。
金手指***conNECting finger***是記憶體條上與記憶體插槽之間的連線部件，所有的訊號都是通過金手指進行傳送的。金手指由眾多金黃色的導電觸片組成，因其表面鍍金而且導電觸片排列如手指狀，所以稱為"金手指"。金手指實際上是在覆銅板上通過特殊工藝再覆上一層金，因為金的抗氧化性極強，而且傳導性也很強。不過因為金昂貴的價格，目前較多的記憶體都採用鍍錫來代替，從上個世紀90年代開始錫材料就開始普及，目前主機板、記憶體和顯示卡等裝置的"金手指"幾乎都是採用的錫材料，只有部分高效能伺服器/工作站的配件接觸點才會繼續採用鍍金的做法，價格自然不菲。
記憶體處理單元的所有資料流、電子流正是通過金手指與記憶體插槽的接觸與PC系統進行交換，是記憶體的輸出輸入埠，因此其製作工藝對於記憶體連線顯得相當重要。
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記憶體插槽
1最初的計算機系統通過單獨的晶片安裝記憶體，那時記憶體晶片都採用DIP***Dual ln-line Package，雙列直插式封裝***封裝，DIP晶片是通過安裝在插在匯流排插槽裡的記憶體卡與系統連線，此時還沒有正式的記憶體插槽。DIP晶片有個最大的問題就在於安裝起來很麻煩，而且隨著時間的增加，由於系統溫度的反覆變化，它會逐漸從插槽裡偏移出來。隨著每日頻繁的計算機啟動和關閉，晶片不斷被加熱和冷卻，慢慢地晶片會偏離出插槽。最終導致接觸不好，產生記憶體錯誤。
早期還有另外一種方法是把記憶體晶片直接焊接在主機板或擴充套件卡里，這樣有效避免了DIP晶片偏離的問題，但無法再對記憶體容量進行擴充套件，而且如果一個晶片發生損壞，整個系統都將不能使用，只能重新焊接一個晶片或更換包含壞晶片的主機板，此種方法付出的代價較大，也極為不方便。
對於記憶體儲存器，大多數現代的系統都已採用單列直插記憶體模組***Single Inline Memory Module，SIMM***或雙列直插記憶體模組***Dual Inline Memory Module，DIMM***來替代單個記憶體晶片。早期的EDO和SDRAM記憶體，使用過SIMM和DIMM兩種插槽，但從SDRAM開始，就以DIMM插槽為主，而到了DDR和DDR2時代，SIMM插槽已經很少見了。下邊具體的說一下幾種常見的記憶體插槽。
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容量
1記憶體容量是指該記憶體條的儲存容量，是記憶體條的關鍵性引數。記憶體容量以MB作為單位，可以簡寫為M。記憶體的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB等，一般而言，記憶體容量越大越有利於系統的執行。目前臺式機中主流採用的記憶體容量為256MB或512MB，64MB、128MB的記憶體已較少採用。
系統對記憶體的識別是以Byte***位元組***為單位，每個位元組由8位二進位制陣列成，即8bit***位元，也稱"位"***。按照計算機的二進位制方式，1Byte=8bit;1KB=1024Byte;1MB=1024KB;1GB=1024MB;1TB=1024GB。
系統中記憶體的數量等於插在主機板記憶體插槽上所有記憶體條容量的總和，記憶體容量的上限一般由主機板晶片組和記憶體插槽決定。不同主機板晶片組可以支援的容量不同，比如Inlel的810和815系列晶片組最高支援512MB記憶體，多餘的部分無法識別。目前多數晶片組可以支援到2GB以上的記憶體，主流的可以支援到4GB，更高的可以到16GB。此外主機板記憶體插槽的數量也會對記憶體容量造成限制，比如使用128MB一條的記憶體，主機板由兩個記憶體插槽，最高可以使用256MB記憶體。因此在選擇記憶體時要考慮主機板記憶體插槽數量，並且可能需要考慮將來有升級的餘地。
記憶體電壓 記憶體正常工作所需要的電壓值，不同型別的記憶體電壓也不同，但各自均有自己的規格，超出其規格，容易造成記憶體損壞。SDRAM記憶體一般工作電壓都在3.3伏左右，上下浮動額度不超過0.3伏;DDR SDRAM記憶體一般工作電壓都在2.5伏左右，上下浮動額度不超過0.2伏;而DDR2 SDRAM記憶體的工作電壓一般在1.8V左右。具體到每種品牌、每種型號的記憶體，則要看廠家了，但都會遵循SDRAM記憶體3.3伏、DDR SDRAM記憶體2.5伏、DDR2 SDRAM記憶體1.8伏的基本要求，在允許的範圍內浮動。略微提高記憶體電壓，有利於記憶體超頻，但是同時發熱量大大增加，因此有損壞硬體的風險。
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顆粒封裝
1顆粒封裝其實就是記憶體晶片所採用的封裝技術型別，封裝就是將記憶體晶片包裹起來，以避免晶片與外界接觸，防止外界對晶片的損害。空氣中的雜質和不良氣體，乃至水蒸氣都會腐蝕晶片上的精密電路，進而造成電學效能下降。不同的封裝技術在製造工序和工藝方面差異很大，封裝後對記憶體晶片自身效能的發揮也起到至關重要的作用。
隨著光電、微電製造工藝技術的飛速發展，電子產品始終在朝著更小、更輕、更便宜的方向發展，因此晶片元件的封裝形式也不斷得到改進。晶片的封裝技術多種多樣，有DIP、POFP、TSOP、BGA、QFP、CSP等等，種類不下三十種，經歷了從DIP、TSOP到BGA的發展歷程。晶片的封裝技術已經歷了幾代的變革，效能日益先進，芯片面積與封裝面積之比越來越接近，適用頻率越來越高，耐溫效能越來越好，以及引腳數增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便。
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傳輸標準
記憶體是計算機內部最為關鍵的部件之一，其有很嚴格的製造要求。而其中的傳輸標準則代表著對記憶體速度方面的標準。不同型別的記憶體，無論是SDRAM、DDR SDRAM，還是RDRAM都有不同的規格，每種規格的記憶體在速度上是各不相同的。傳輸標準是記憶體的規範，只有完全符合該規範才能說該記憶體採用了此傳輸標準。比如說傳輸標準PC3200記憶體，代表著此記憶體為工作頻率200MHz，等效頻率為400MHz的DDR記憶體，也就是常說的DDR400。
傳輸標準術購買記憶體的首要選擇條件之一，它代表著該記憶體的速度。目前市場中所有的記憶體傳輸標準有SDRAM的PC100、PC133;DDR SDRAM的PC1600、PC2100、PC2700、PC3200、PC3500、PC3700;RDRAM的PC600、PC800和PC1066等。
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CL設定
記憶體負責向CPU提供運算所需的原始資料，而目前CPU執行速度超過記憶體資料傳輸速度很多，因此很多情況下CPU都需要等待記憶體提供資料，這就是常說的"CPU等待時間"。記憶體傳輸速度越慢，CPU等待時間就會越長，系統整體效能受到的影響就越大。因此，快速的記憶體是有效提升CPU效率和整機效能的關鍵之一。
在實際工作時，無論什麼型別的記憶體，在資料被傳輸之前，傳送方必須花費一定時間去等待傳輸請求的響應，通俗點說就是傳輸前傳輸雙方必須要進行必要的通訊，而這種就會造成傳輸的一定延遲時間。CL設定一定程度上反映出了該記憶體在CPU接到讀取記憶體資料的指令後，到正式開始讀取資料所需的等待時間。不難看出同頻率的記憶體，CL設定低的更具有速度優勢。
上面只是給大家建立一個基本的CL概念，而實際上記憶體延遲的基本因素絕對不止這些。記憶體延遲時間有個專門的術語叫"Latency"。要形象的瞭解延遲，我們不妨把記憶體當成一個儲存著資料的陣列，或者一個EXCEL表格，要確定每個資料的位置，每個資料都是以行和列編排序號來標示，在確定了行、列序號之後該資料就唯一了。記憶體工作時，在要讀取或寫入某資料，記憶體控制晶片會先把資料的列地址傳送過去，這個RAS訊號***Row Address Strobe，行地址訊號***就被啟用，而在轉化到行資料前，需要經過幾個執行週期，然後接下來CAS訊號***Column Address Strobe，列地址訊號***被啟用。在RAS訊號和CAS訊號之間的幾個執行週期就是RAS-to-CAS延遲時間。在CAS訊號被執行之後同樣也需要幾個執行週期。此執行週期在使用標準PC133的SDRAM大約是2到3個週期;而DDR RAM則是4到5個週期。在DDR中，真正的CAS延遲時間則是2到2.5個執行週期。RAS-to-CAS的時間則視技術而定，大約是5到7個週期，這也是延遲的基本因素。
CL設定較低的記憶體具備更高的優勢，這可以從總的延遲時間來表現。記憶體總的延遲時間有一個計算公式，總延遲時間=系統時鐘週期×CL模式數+存取時間***tAC***。首先來了解一下存取時間***tAC***的概念，tAC是Access Time from CLK的縮寫，是指最大CAS延遲時的最大數輸入時鐘，是以納秒為單位的，與記憶體時鐘週期是完全不同的概念，雖然都是以納秒為單位。存取時間***tAC***代表著讀取、寫入的時間，而時鐘頻率則代表記憶體的速度。
舉個例子來計算一下總延遲時間，比如一條DDR333記憶體其存取時間為6ns，其記憶體時鐘週期為6ns***DDR記憶體時鐘週期=1X2/記憶體頻率，DDR333記憶體頻率為333，則可計算出其時鐘週期為6ns***。我們在主機板的BIOS中將其CL設定為2.5，則總的延遲時間=6ns X2.5+6ns=21ns，而如果CL設定為2，那麼總的延遲時間=6ns X2+6ns=18 ns，就減少了3ns的時間。
從總的延遲時間來看，CL值的大小起到了很關鍵的作用。所以對系統要求高和喜歡超頻的使用者通常喜歡購買CL值較低的記憶體。目前各記憶體顆粒廠商除了從提高記憶體時鐘頻率來提高DDR的效能之外，已經考慮通過更進一步的降低CAS延遲時間來提高記憶體效能。不同型別記憶體的典型CL值並不相同，例如目前典型DDR的CL值為2.5或者2，而大部分DDR2 533的延遲引數都是4或者5，少量高階DDR2的CL值可以達到3。
不過，並不是說CL值越低效能就越好，因為其它的因素會影響這個資料。例如，新一代處理器的快取記憶體較有效率，這表示處理器比較少地直接從記憶體讀取資料。再者，列的資料會比較常被存取，所以RAS-to-CAS的發生機率也大，讀取的時間也會增多。最後，有時會發生同時讀取大量資料的情形，在這種情形下，相鄰的記憶體資料會一次被讀取出來，CAS延遲時間只會發生一次。
選擇購買記憶體時，最好選擇同樣CL設定的記憶體，因為不同速度的記憶體混插在系統內，系統會以較慢的速度來執行，也就是當CL2.5和CL2的記憶體同時插在主機內，系統會自動讓兩條記憶體都工作在CL2.5狀態，造成資源浪費。