現代記憶體顆粒怎麼樣
我們都知道記憶體條都有記憶體顆粒，那麼對於現在市面上的記憶體條上的記憶體顆粒，究竟怎麼樣呢?下面小編就為大家詳細地介紹一下吧，歡迎大家參考和學習。
Q：我買了一條金士頓的記憶體條，DDR3 4GB的記憶體，記憶體上面的顆粒怎麼是現代的記憶體顆粒?和我機器上的另外一條金士頓不一樣，另外的一條金士頓記憶體是爾必達的顆粒。
A： 基本上沒有什麼問題的，現代記憶體多見於品牌機裡面，金士頓使用的不同的顆粒生產記憶體這個沒什麼關係，不同批次採購不同的顆粒而已，整體的設計規格是一樣的。現代記憶體顆粒和爾必達***爾必達最近已經申請了破產保護，記憶體商採購顆粒肯定不止一家的哦，只要保證正品即可***記憶體顆粒都是非常好的記憶體顆粒，金士頓的記憶體條假貨多，只要根據一些常規的防偽手段檢驗沒問題就基本差不多了。
現代記憶體顆粒的編號也是由四段字母或數字組成，具體分佈請看下圖。A、B四部分的含義與三星記憶體顆粒編號的含義相同，分別表示該記憶體顆粒的生產企業及生產日期。C、D部分所包含的內容主要是指記憶體的相關規格。接下來我們就詳細分解。
A部分不用多說，鐵定都是Hynix的LOGO。
B部分是生產日期，由三個數字和一個字母組成，和三星記憶體顆粒的編號一樣，第一個數字表示生產年份，後兩位數字表示在該年的第XX周生產。最後的字母，由於在官方檔案中沒有解釋，筆者也未弄明白。
C部分也是表示該記憶體顆粒的頻率、延遲引數。由1-3位字母和數字共同組成。根據頻率、延遲引數不同，分別用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8個字母/數字組合來表示。
其中：
“D5”代表DDR500***250MHz***，延遲為3-4-4;
“D43”代表DDR433***216MHz***，延遲為3-3-3;
“D4”代表DDR400***200MHz***，延遲為3-4-4;
“J”代表DDR333***166MHz***，延遲為2.5-3-3;
“M”代表DDR266***133MHz***，延遲為2-2-2;
“K”代表DDR266A***133MHz***，延遲為2-3-3;
“H”代表DDR266B***133MHz***，延遲為2.5-3-3;
“L”代表DDR200***100MHz***，延遲為2-2-2。
補充：緊接這C部分的數字後面，實際上還有一個編號，只是這個編號一般並沒有被標示出來。他用來表示記憶體顆粒的工作溫度和應用等級。用“Bank、I、E”來表示不同的工作溫度和應用等級，其中：
“Blank”代表商業型，工作溫度在0 °C~70 °C之間;
“E”代表增強型，工作溫度在-25°C~85 °C之間;
“I”代表工業型，工作溫度在-40°C~85 °C之間。
總結:
1. HY代表著該顆粒是現代製造的產品。
2. 記憶體晶片型別：***5D=DDR SDRAM***
3. 處理工藝及供電：***V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V***
4. 晶片容量密度和重新整理速度：***64：64M 4K重新整理;66：64M 2K重新整理;28：128M 4K重新整理;56：256M 8K重新整理;57：256M 4K重新整理;12：512M 8K重新整理;1G：1G 8K重新整理***
5. 記憶體條晶片結構：***4=4顆晶片;8=8顆晶片;16=16顆晶片;32=32顆晶片***
6. 記憶體bank***儲蓄位***：***1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank***
7. 介面型別：***1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18***
8. 核心代號：***空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代***
9. 能源消耗：***空白=普通;L=低功耗型***
10. 封裝型別：***T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA***
11. 封裝堆疊：***空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP***Hynix***;MU=MCP***UTC******
12. 封裝原料：***空白=普通;P=鉛;H=鹵素;R=鉛+鹵素***
13. 速度：***D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200***
14. 工作溫度：***I=工業常溫***-40 - 85度***;E=擴充套件溫度***-25 - 85度******