自耦變壓器

[拼音]：danjie jingtiguan

[英文]：unijunction transistor

只有一個PN接面作為發射極而有兩個基極的三端半導體器件，早期稱為雙基極二極體。其典型結構是以一個均勻輕摻雜高電阻率的N型單晶半導體作為基區，兩端做成歐姆接觸的兩個基極，在基區中心或者偏向其中一個極的位置上用淺擴散法重摻雜製成 PN接面作為發射極(圖中)。當基極B1和B2之間加上電壓

時（圖中b），電流從B2流向B1，並在結處基區對B1的電勢形成反偏狀態。如果將一個訊號加在發射極上，且此訊號超過原反偏電勢時，器件呈導電狀態。一旦正偏狀態出現，便有大量空穴注入基區，使發射極和B1之間的電阻減小，電流增大，電勢降低，並保持導通狀態，改變兩個基極間的偏置或改變發射極訊號才能使器件恢復原始狀態。因此，這種器件顯示出典型的負阻特性（見圖c），特別適用於開關係統中的弛張振盪器，可用於定時電路、控制電路和讀出電路。