鍵能

[拼音]：danjing shengzhangfa

[外文]：growth methods of single crystals

單晶體的生長方法很多，主要有四種方法：

水熱法

晶體在高溫高壓下從溶液中生長，容器是高壓釜（圖1）。一般採用溫差法，即把原料放在高壓釜內溫度較高的底部，籽晶則位於高壓釜內溫度較低的上部（如溶解度的溫度係數為負，則相反），容器內充滿溶劑。原料在高溫高壓下溶解在溶劑中，由於溫差對流，溶液在籽晶部位達到過飽和而使籽晶生長。溶液的迴圈促使原料不斷地溶解，晶體不斷地生長。目前此法最主要的用途是生長水晶，一般說，很多氧化物單晶均可採用此法。

區熔法

在一個相對長的固體原料中有一個短的熔區慢慢地移動，使原料內溶質在結晶過程中重新分佈(圖2)。熔區的數目、大小和移動方向都是可以控制的。當一個熔區通過料錠時，有兩個液體－固體的分介面，凝固分介面會排斥一些溶質而吸收另一些溶質。此法早在1952年為美國的W.G.蒲凡所發明，目前應用極廣，主要用於純化金屬、半導體、有機和無機化合物；除了純化晶體之外，還可以使某種雜質十分均勻地分佈在整個晶體中。

外延生長法

又名取向附生，指兩個晶體表面連生，形成有取向的生長介面。一般說，一個晶體表面從結構上提供擇優的位置，使第二個晶相附生上去。外延方法主要有兩種：一種是氣相外延，另一種是液相外延。外延多半是從一個晶體基片上外延一層薄膜，因此，按基片和薄膜的性質可分為同質和異質外延。

昇華法

是從氣相生長晶體的基本方法。原料在管內昇華結晶，在管的高溫一端被加熱昇華成為氣相，然後輸送到溫度較低的另一端，凝結成核生長。此法又分為開管和閉管兩種方法。