寬能隙半導體元件
中 文 寬能隙半導體元件
英 文 wide bandgap semiconductor device
出 處 電子工程
相關詞匯
| 中文詞彙 | 英文翻譯 | 出處/學術領域 |
|---|---|---|
| 寬能隙半導體元件 | wide bandgap semiconductor device | 【電子工程】 |
| 寬能隙半導體 | wide bandgap semiconductor | 【電子工程】 |
| 二-六族寬能隙半導體 | II-VI wide gap semiconductor | 【電子工程】 |
| 寬能隙半導體 | wide bandgap semiconductor | 【物理學名詞】 |
| 寬能隙半導體 | wide bandgap semiconductor | 【材料科學名詞-兩岸材料科學名詞】 |
| 窄能隙半導體 | narrow gap semiconductor | 【電子工程】 |
| 間接能隙半導體 | indirect gap semiconductor | 【電子工程】 |
| 間接能隙半導體 | indirect gap semicondutor | 【電機工程】 |
| 間接能隙半導體 | indirect gap semiconductor | 【電機工程】 |
| 窄能隙半導體 | narrow gap semiconductor | 【電機工程】 |
| 直接能隙半導體 | direct-gap semiconductor | 【物理學名詞】 |
| 間接能隙半導體 | indirect gap semicondutor | 【電力工程】 |
| 溝槽半導體元件 | trench semiconductor device | 【電子工程】 |
| 超快電子 -半導體 元件 | ultrafast electron-semiconductor devices | 【電子工程】 |
| 電子撞擊半導體元件 | Electron bombarded semiconductor devices | 【電子工程】 |
| 電子束半導體元件 | electron beam semiconductor device{=EBS device} | 【電子工程】 |
| n 通道金氧半導體元件 | n channel metal oxide semiconductor device{=NMOS devices} | 【電子工程】 |
| 其他半導體元件 | other semiconductor devices | 【電子工程】 |
| 合成半導體元件 | compound semiconductor devices | 【電子工程】 |
| 互補式金氧半導體元件 | complementary metal-oxide-semiconductor device{=CMOS} | 【電子工程】 |