異質磊晶
中 文 異質磊晶
英 文 heteroepitaxy
出 處 物理學名詞
相關詞匯
| 中文詞彙 | 英文翻譯 | 出處/學術領域 |
|---|---|---|
| 奈米異質磊晶；奈米非均質磊晶 | nanoheteroepitaxy | 【電子工程】 |
| 異質磊晶 | hetero epitaxial | 【電子工程】 |
| 異質磊晶 | heteroepitaxy | 【電機工程】 |
| 異質磊晶 | heteroepitaxy | 【電子計算機名詞】 |
| 異質磊晶 | heteroepitaxy | 【物理學名詞】 |
| 異質磊晶[術] | heteroepitaxy | 【材料科學名詞-兩岸材料科學名詞】 |
| 異質磊晶 | heteroepitaxy | 【通訊工程】 |
| 同質磊晶 | homo epitaxy{=HE} | 【電子工程】 |
| 同質磊晶 | homoepitaxy | 【電機工程】 |
| 同質磊晶 | homoepitaxy | 【電子計算機名詞】 |
| 同質磊晶[術] | homoepitaxy | 【材料科學名詞-兩岸材料科學名詞】 |
| 同質磊晶 | homo-epitaxial | 【化學名詞-化學術語】 |
| 汽相外延 ；汽相磊晶 | vapor phase epitaxy{=VPE} | 【電子工程】 |
| 分子層磊晶 | Molecular layer epitaxy{=MLE} | 【電子工程】 |
| 分子束磊晶 | molecular beam epitaxy{=MBE} | 【電子工程】 |
| 分子束磊晶成長 | Molecular beam epitaxy growth | 【電子工程】 |
| 有機金屬汽相磊晶 | Organometallic vapor phase epitaxy | 【電子工程】 |
| 合成原料分子束磊晶 | compound source molecular beam epitaxy{=MBE} | 【電子工程】 |
| 離子化叢集束磊晶術 | ionized cluster beam epitaxy{=ICBE} | 【電子工程】 |
| 離子束磊晶 | ion beam epitaxy{=IBE} | 【電子工程】 |