記憶體條有哪些型別
你們知道嗎?不知道的話跟著小編一起來學習瞭解。
記憶體條的型別及介紹
1.記憶體條的誕生 當CPU在工作時，需要從硬碟等外部儲存器上讀取資料，但由於硬碟這個“倉庫”太大，加上離CPU也很“遠”，運輸“原料”資料的速度就比較慢，導致CPU的生產效率大打折扣!為了解決這個問題，人們便在CPU與外部儲存器之間，建了一個“小倉庫”—記憶體。/
記憶體雖然容量不大，一般只有幾十MB到幾百MB，但中轉速度非常快，如此一來，當CPU需要資料時，事先可以將部分資料存放在記憶體中，以解CPU的燃眉之急。由於記憶體只是一個“中轉倉庫”，因此它並不能用來長時間儲存資料。記憶體又叫隨機儲存器斷電之後資料全部丟失。而硬碟則不會。
2.常見的記憶體條,
目前PC中所用的記憶體主要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等三種類型。
曾經主流—SDRAMB
SDRAM***Synchronous DRAM***即“同步動態隨機儲存器”。SDRAM記憶體條的兩面都有金手指，是直接插在記憶體條插槽中的，因此這種結構也叫“雙列直插式”，英文名叫“DIMM”。目前絕大部分記憶體條都採用這種“DIMM”結構。$ /Ee
隨著處理器前端匯流排的不斷提高，SDRAM已經無法滿足新型處理器的需要了，早已退出了主流市場。
今日主流—DDR SDRAM
DDR SDRAM***簡稱DDR***是採用了DDR***Double Data Rate SDRAM，雙倍資料速度***技術的SDRAM，與普通SDRAM相比，在同一時鐘週期內，DDR SDRAM能傳輸兩次資料，而SDRAM只能傳輸一次資料。
從外形上看DDR記憶體條與SDRAM相比差別並不大，它們具有同樣的長度與同樣的引腳距離。只不過DDR記憶體條有184個引腳，金手指中也只有一個缺口，而SDRAM記憶體條是168個引腳，並且有兩個缺口。."?H0B
根據DDR記憶體條的工作頻率，它又分為DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多種型別：與SDRAM一樣，DDR也是與系統匯流排頻率同步的，不過因為雙倍資料傳輸，因此工作在133MHz頻率下的DDR相當於266MHz的SDRAM，於是便用DDR266來表示。cX
小提示：工作頻率表示記憶體所能穩定執行的最大頻率，例如PC133標準的SDRAM的工作頻率為133MHz，而DDR266 DDR的工作頻率為266MHz。對於記憶體而言，頻率越高，其頻寬越大。
除了用工作頻率來標示DDR記憶體條之外，有時也用頻寬值來標示，例如DDR 266的記憶體頻寬為2100MB/s，所以又用PC2100來標示它，於是DDR333就是PC2700，DDR400就是PC3200了。
小提示：記憶體頻寬也叫“資料傳輸率”，是指單位時間內通過記憶體的資料量，通常以GB/s表示。我們用一個簡短的公式來說明記憶體頻寬的計算方法：記憶體頻寬=工作頻率×位寬/8×n***時鐘脈衝上下沿傳輸係數，DDR的係數為2***。
由於DDR記憶體條價格低廉，效能出色，因此成為今日主流的記憶體產品。過時的貴族—RDRAM'8
RDRAM***儲存器匯流排式動態隨機儲存器***是Rambus公司開發的一種新型DRAM。RDRAM雖然位寬比SDRAM及DDR的64bit窄，但其時鐘頻率要高得多。從外觀上來看，RDRAM記憶體條與SDRAM、DDR SDRAM記憶體條有點相似。從技術上來看，RDRAM是一種比較先進的記憶體，但由於價格高，在市場上普及不是很實際。如今的RDRAM已經退出了普通桌上型電腦市場。Jn^Lm
3.記憶體的封裝xS{
目前記憶體的封裝方式主要有TSOP、BGA、CSP等三種，封裝方式也影響著記憶體條的效能優劣。
TSOP封裝：TOSP***Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝***的一個典型特點就是在封裝晶片的周圍做出很多引腳。TSOP封裝操作方便，可靠性比較高，是目前的主流封裝方式。X5hwJm
BGA封裝：BGA叫做“球柵陣列封裝”，其最大的特點就是晶片的引腳數目增多了，組裝成品率提高了。採用BGA封裝可以使記憶體在體積不變的情況下將記憶體容量提高兩到三倍，與TSOP相比，它具有更小的體積、更好的散熱效能和電效能。#bfzvx
CSP封裝：CSP***Chip Scale Package，晶片級封裝***作為新一代封裝方式，其效能又有了很大的提高。CSP封裝不但體積小，同時也更薄，更能提高記憶體晶片長時間執行的可靠性，晶片速度也隨之得到大幅度的提高。目前該封裝方式主要用於高頻DDR記憶體。
1.時鐘週期***TCK***s[{
TCK是“Clock Cycle Time”的縮寫，即記憶體時鐘週期。它代表了記憶體可以執行的最大工作頻率，數字越小說明記憶體所能執行的頻率就越高。時鐘週期與記憶體的工作頻率是成倒數的，即TCK=1/F。比如一塊標有“-10”字樣的記憶體晶片，“-10”表示它的執行時鐘週期為10ns，即可以在100MHz的頻率下正常工作。 2.存取時間***TAC***/h+L
TAC***Access Time From CLK***表示“存取時間”。與時鐘週期不同，TAC僅僅代表訪問資料所需要的時間。如一塊標有“-7J”字樣的記憶體晶片說明該記憶體條的存取時間是7ns。存取時間越短，則該記憶體條的效能越好，比如說兩根記憶體條都工作在133MHz下，其中一根的存取時間為6ns，另外一根是7ns，則前者的速度要好於後者。
3.CAS延遲時間***CL***
CL***CAS Latency***是記憶體效能的一個重要指標，它是記憶體縱向地址脈衝的反應時間。當電腦需要向記憶體讀取資料時，在實際讀取之前一般都有一個“緩衝期”，而“緩衝期”的時間長度，就是這個CL了。記憶體的CL值越低越好，因此，縮短CAS的週期有助於加快記憶體在同一頻率下的工作速度。
4.奇偶校驗***ECC***HIIA
記憶體是一種資料中轉“倉庫”，而在頻繁的中轉過程中，一旦搞錯了資料怎麼辦?而ECC就是一種資料檢驗機制。ECC不僅能夠判斷資料的正確性，還能糾正大多數錯誤。普通PC中一般不用這種記憶體，它們一般應用在高階的伺服器電腦中。oK9pld
目前市場上主流的記憶體有SDRAM和DDR SDRAM，記憶體條品牌主要有勝創，金士頓、三星、宇瞻、富豪、現代等等3}zX
1. 記憶體的單面與雙面，單Bank與雙Bank的區別?
單面記憶體與雙面記憶體的區別在於單面記憶體的記憶體晶片都在同一面上，而雙面記憶體的記憶體晶片分佈在兩面。而單Bank與雙Bank的區別就不同了。Bank從物理上理解為北橋晶片到記憶體的通道，通常每個通道為64bit。一塊主機板的效能優劣主要取決於它的晶片組。不同的晶片組所支援的Bank是不同的。如Intel 82845系列晶片組支援4個Bank，而SiS的645系列晶片組則能支援6個Bank。如果主機板只支援4個Bank，而我們卻用6個Bank的話，那多餘的2個Bank就白白地浪費了。雙面不一定是雙Bank，也有可能是單Bank，這一點要注意。
2. 記憶體的2-2-3通常是什麼意思?
這些電腦硬體文章經常出現的引數就是在主機板的BIOS裡面關於記憶體引數的設定了。通常說的2-2-3按順序說的是tRP***Time of Row Precharge***，tRCD***Time of RAS to CAS Delay***和CL***CAS Latency***。tRP為RAS預充電時間，數值越小越好;tRCD是RAS到CAS的延遲，數值越小越好;CL***CAS Latency***為CAS的延遲時間，這是縱向地址脈衝的反應時間，也是在一定頻率下衡量支援不同規範的記憶體的重要標誌之一。
3.記憶體的雙通道技術和單通道有什麼不同?
什麼是雙通道DDR技術呢?需要說明的是，它並非我前面提到的D D R I I，而是一種可以讓2條D D R記憶體共同使用，資料並行傳輸的技術。雙通道DDR技術的優勢在於，它可以讓記憶體頻寬在原來的基礎上增加一倍，這對於P 4處理器的好處可謂不言而喻。400M H z 前端匯流排的P 4 A處理器和主機板傳輸資料的頻寬為3.2G B /s，而533 M Hz 前端匯流排的P4B處理器更是達到了4.3G B/s，而P4C處理器更是達到了800MHZ 前端匯流排從而需要6. 4 G的記憶體頻寬。但是目前除了I850E支援的R ambus P C10 66規範外，根本沒有記憶體可以滿足處理器的需要，我們最常用的DDR333本身僅具有2.7G B/s的頻寬。DDR400也只能提供3.2G /s的頻寬。也就是說，如果我們搭建雙通道DDR400的記憶體，理論上提供2倍DDR400的頻寬。將從而根本的解決了CPU和記憶體之間的瓶頸問題。
4.DDR-Ⅱ和現在的DDR記憶體有什麼不同?
DDR-II記憶體是相對於現在主流的DDR-I記憶體而言的，它們的工作時鐘預計將為400MHz或更高。主流記憶體市場將從現在的DDR-400產品直接過渡到DDR-II。目前DDR-II記憶體將採用0.13微米工藝，將來會過度到90奈米，工作頻率也會超過800MHZ。
記憶體條