選擇磊晶
中 文 選擇磊晶
出 處 電機工程
相關詞匯
中文詞彙 | 英文翻譯 | 出處/學術領域 |
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選擇磊晶 | selective epitaxy | 【電子工程】 |
選擇磊晶 | selective epitaxy | 【電機工程】 |
選擇磊晶 | selective epitaxy | 【電子計算機名詞】 |
選擇金屬有機汽相磊晶 | selective metal organic vapor phase epitaxy | 【電子工程】 |
選擇區域磊晶 | selective area epitaxy | 【電子工程】 |
選擇性磊晶成長 | selective epitaxy growth | 【材料科學名詞-兩岸材料科學名詞】 |
汽相外延 ;汽相磊晶 | vapor phase epitaxy{=VPE} | 【電子工程】 |
分子層磊晶 | Molecular layer epitaxy{=MLE} | 【電子工程】 |
分子束磊晶 | molecular beam epitaxy{=MBE} | 【電子工程】 |
分子束磊晶成長 | Molecular beam epitaxy growth | 【電子工程】 |
奈米異質磊晶;奈米非均質磊晶 | nanoheteroepitaxy | 【電子工程】 |
異質磊晶 | hetero epitaxial | 【電子工程】 |
有機金屬汽相磊晶 | Organometallic vapor phase epitaxy | 【電子工程】 |
合成原料分子束磊晶 | compound source molecular beam epitaxy{=MBE} | 【電子工程】 |
離子化叢集束磊晶術 | ionized cluster beam epitaxy{=ICBE} | 【電子工程】 |
離子束磊晶 | ion beam epitaxy{=IBE} | 【電子工程】 |
氣相磊晶 | vapor phase epitaxy{=VPE} | 【電機工程】 |
熱分解磊晶 | thermal decomposition epitaxy | 【電機工程】 |
磊晶堆積缺陷;磊晶堆疊缺陷 | epitaxy stacking fault{=ESF} | 【電子工程】 |
磊晶製程距離 | epitaxy proximity | 【電子工程】 |